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J-GLOBAL ID：201003095584411225

III族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法

Inventor：
塙 健三

About 塙 健三

, 
佐々木 保正

About 佐々木 保正


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  田崎 豪治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008237142
Publication number (International publication number)：2010073760
Application date： Sep. 16, 2008
Publication date： Apr. 02, 2010
Summary：
【課題】本発明によれば、結晶性が向上したIII族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面TEM(透過型電子顕微鏡)写真の200nm観察視野において結晶粒界が観察されないAlN結晶膜を形成させ、ついでIII族窒化物半導体からなる、下地層、n型半導体層、発光層およびp型半導体層を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したIII族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
サファイア基板表面に、シード層として、縦断面TEM(透過型電子顕微鏡)写真の200nm観察視野において結晶粒界が観察されないAlN結晶膜を形成させ、ついでIII族窒化物半導体からなる、下地層、n型半導体層、発光層およびp型半導体層を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したIII族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なうことを特徴とするIII族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18
FI (6)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  C23C14/06 A ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18
F-Term (78)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077EF02 ,  4G077GA05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12 ,  4G077HA20 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC15 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC35 ,  4K029FA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF17 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (15)
  • 特公昭62-29397号公報
  • 特開昭48-40699号公報
  • 米国特許6,692,568号明細書
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Cited by examiner (2)

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