Art

J-GLOBAL ID：201102212048570760   Reference number：11A1135130

Investigation of the Low Resistivity Cu Wire Formation in the 8 Inch Wafer Using Ultra-High Purity Plating Materials

高純度めっき材料を用いた低抵抗率Cu配線形成プロセスの8インチウエハによる検証

Author (7)： TASHIRO SUGURU (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  KADOTA HIROYUKI (日立協和エンジニアリング株式会社デバイスシステムセンタ) ,  ITO MASAHIKO (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  UCHIKOSHI MASAHITO (東北大学多元物質科学研究所) ,  MIMURA KOJI (東北大学多元物質科学研究所) ,  ISSHIKI MINORU (東北大学多元物質科学研究所) ,  ONUKI JIN (茨城大学工学部マテリアル工学科)
Material： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
Volume： 75  Issue： 7  Page： 386-391 (J-STAGE)  Publication year： 2011 
JST Material Number： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *VLSI ,  wiring ,  *copper plating ,  Electroplating ,  width ,  wafer ,  electrical resistivity ,  micro structure ,  particle size (diameter) ,  particle size distribution ,  grain size dependence ,  high purity material ,  electrode material ,  Copper Sulfate ,  electrode ,  *electric resistance ,  plating film ,  film thickness ,  distribution ,  transmission electron microscope ,  grain boundary segregation ,  copper electrode
Semi thesaurus term： thickness distribution ,  copper interconnect ,  Wire-Widening ,  microstructure

JST classification (1)： Electroplating  (WC08023B)

Reference (17)：

• 1) K. Hinode, Y. Hanaoka, K. Takeda and S. Kondo: Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40(2001) L1097.
• 2) W. Steinhögl, G. Schindler, G. Steinlesberger and M. Engelhardt: Phys. Rev. B 66(2002) 075414.
• 3) W. Wu, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Appl. Phys. Lett. 84(2004) 2838.
• 4) The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), (2006).
• 5) W. Wu, D. Ermur, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Microelectron. Eng. 76(2004) 190.

Terms in the title (7)： 高純度 ,  めっき ,  低抵抗 ,  Cu配線 ,  形成プロセス ,  ウエハ ,  検証