ソリッドステート材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 小川信夫 , 箱田篤 , 浅井賢治 , 山崎一夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011519233
Publication number (International publication number)：2011529265
Application date： Jul. 22, 2009
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：

ホスト材料と量子スピン欠陥とを含むソリッドステートシステムであって、量子スピン欠陥が室温で約300μs以上のT2を有し、ホスト材料が、約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶CVDダイヤモンドの層を含み、量子スピン欠陥が形成されている所に最も近い表面上の点に中心がある約5μmの半径の円によって定義される領域内の単結晶ダイヤモンドの表面粗さRqが約10nm以下であるソリッドステートシステム、ソリッドステートシステムの調製方法及び約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶ダイヤモンドのスピントロニクス用途での使用を開示する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ホスト材料と量子スピン欠陥とを含むソリッドステートシステムであって、前記量子スピン欠陥が室温で約300μs以上のT2を有し、前記ホスト材料が、約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶CVDダイヤモンドの層を含み、前記量子スピン欠陥が形成されている所に最も近い表面上の点に中心がある約5μmの半径の円によって定義される領域内の前記単結晶ダイヤモンドの表面粗さRqが約10nm以下である、前記ソリッドステートシステム。

IPC (3)：

H01L 29/82 , B82Y 10/00 , C30B 29/04

FI (3)：

H01L29/82 Z , B82Y10/00 , C30B29/04 E

F-Term (24)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077AB08 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077FD02 , 4G077FE11 , 4G077FG01 , 4G077FG11 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 5F092AA11 , 5F092AA15 , 5F092AB10 , 5F092AC21 , 5F092BD15 , 5F092BE02 , 5F092CA03 , 5F092CA08 , 5F092CA11 , 5F092GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

CVDにより造られた単結晶ダイヤモンド
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-510741 Applicant：エレメントシックス(プロプライエタリイ)リミテッド
ダイヤモンド製医療装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-551323 Applicant：アポロダイヤモンド,インク
厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-510742 Applicant：エレメントシックス(プロプライエタリイ)リミテッド

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Long coherence times at 300K for nitrogen-vacancy center spins in diamond grown by chemical vapor de

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