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J-GLOBAL ID：201103003136678500

窒化物半導体及び窒化物半導体素子

Inventor：
岩見 正之

About 岩見 正之


Applicant, Patent owner：
次世代パワーデバイス技術研究組合

About 次世代パワーデバイス技術研究組合


Agent (3)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010081733
Publication number (International publication number)：2011216578
Application date： Mar. 31, 2010
Publication date： Oct. 27, 2011
Summary：
【課題】リーク電流が抑制された窒化物半導体、及び該窒化物半導体を備えた半導体素子を提供する。【解決手段】Al原子,Ga原子及びIn原子から選択される1以上の金属原子と窒素原子とを少なくとも含むと共に、結晶面に対して垂直な転位線を持つらせん転位を有し、前記らせん転位の転位芯に相当する領域に位置された前記金属原子または窒素原子のうちの少なくとも一部が炭素原子で置換されている窒化物半導体である。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
Al原子,Ga原子及びIn原子から選択される1以上の金属原子と窒素原子とを少なくとも含むと共に、 結晶面に対して垂直な転位線を持つらせん転位を有し、 前記らせん転位の転位芯に相当する領域に位置された前記金属原子または窒素原子のうちの少なくとも一部が炭素原子で置換されている窒化物半導体。
IPC (7)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/20
FI (5)：
H01L21/205 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/20
F-Term (54)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE15 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F140AA24 ,  5F140AB08 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA10 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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