窒化物半導体基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009218891
Publication number (International publication number)：2011068503
Application date： Sep. 24, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

【課題】半導体装置に用いることのできる窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板10aは、主面と、表示部とを備えている。主面11は、(0001)面から[1-100]方向に71°以上79°以下傾斜した面、または(000-1)面から[-1100]方向に71°以上79°以下傾斜した面である。表示部は、(-1017)面、(10-1-7)面、またはこれらの面から[1-100]方向に-4°以上4°以下傾斜し、かつ[1-100]方向に直交する方向に-0.5°以上0.5°以下傾斜した面を示す。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

主面と、表示部とを備え、前記主面は、(0001)面から[1-100]方向に71°以上79°以下傾斜した面、または(000-1)面から[-1100]方向に71°以上79°以下傾斜した面であり、前記表示部は、(-1017)面、(10-1-7)面、またはこれらの面から[1-100]方向に-4°以上4°以下傾斜し、かつ[1-100]方向に直交する方向に-0.5°以上0.5°以下傾斜した面を示す、窒化物半導体基板。

IPC (4)：

C30B 29/38 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01S 5/323

FI (4)：

C30B29/38 D , H01L21/02 B , H01L21/205 , H01S5/323 610

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077FG16 , 4G077HA12 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F173AH22 , 5F173AP75 , 5F173AR93

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-514810 Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構
特許第4333820号
窒化物系半導体発光素子の製造方法および窒化物系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-236165 Applicant：三洋電機株式会社

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