Pat
J-GLOBAL ID：200903034530373840
III族窒化物発光素子、及びIII族窒化物系半導体発光素子を作製する方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008041745
Publication number (International publication number)：2009200337
Application date： Feb. 22, 2008
Publication date： Sep. 03, 2009
Summary：
【課題】波長410nm以上の発光ピーク波長を有しており半極性面上に設けられた量子井戸構造の発光層を含むIII族窒化物発光素子を提供する。【解決手段】発光層15は、窒化ガリウム系半導体領域13の主面13a上に設けられる。量子井戸構造17は、波長410nm以上の発光ピーク波長を有するように形成されている。井戸層19aの厚さDWは4nm以上である。また、井戸層19aの厚さDWは10nm以下である。井戸層19aはInXGa1-XN(0.15≦X<1、Xは歪み組成)からなる。窒化ガリウム系半導体領域13の主面13aは、六方晶系III族窒化物の{0001}面または{000-1}面を基準にして15度以上の傾斜角で傾斜している。また、窒化ガリウム系半導体領域13の主面13aは、{0001}面または{000-1}面を基準に85度以下の傾斜角αで傾斜する。この範囲内の主面13aは半極性面である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物支持基体と、
前記III族窒化物支持基体上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域と、
波長410nm以上の発光ピーク波長を有するように前記窒化ガリウム系半導体領域の主面上に設けられ交互の配置された井戸層及び障壁層を含む量子井戸構造の発光層と
を備え、
前記井戸層の厚さは4nm以上であると共に、前記井戸層の厚さは10nm以下であり、
前記井戸層は、InXGa1-XN(0.15≦X<1、Xは歪み組成)からなり、
前記障壁層は、InYGa1-YN(0≦Y≦0.05、Y<X、Yは歪み組成)からなり、
前記主面は、{0001}面または{000-1}面を基準にして15度以上85度以下の範囲内の傾斜角で傾斜した半極性面である、ことを特徴とするIII族窒化物発光素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (6)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
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