積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010262862
Publication number (International publication number)：2011135066
Application date： Nov. 25, 2010
Publication date： Jul. 07, 2011
Summary：

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第1の酸化物結晶部材と第2の酸化物結晶部材がc軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸(アキシャル)成長をさせていることである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、且つ、前記下地部材の表面直上に非晶質成分を残存し、前記第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法。

IPC (9)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/363 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/10 , H05B 33/08

FI (12)：

H01L21/20 , H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 627G , H01L29/78 620 , H01L29/78 618Z , H01L21/363 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/10 , H05B33/08

F-Term (156)：

2H092GA29 , 2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA33 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB22 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA29 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107EE04 , 3K107FF14 , 3K107FF17 , 3K107FF19 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 3K107HH04 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103GG03 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103PP11 , 5F103PP13 , 5F103PP14 , 5F103PP18 , 5F103RR05 , 5F103RR08 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HM13 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110PP36 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F152AA01 , 5F152BB01 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC06 , 5F152CC07 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CD17 , 5F152CD24 , 5F152CE01 , 5F152CE16 , 5F152CE43 , 5F152CE45 , 5F152CG10 , 5F152CG13 , 5F152CG14 , 5F152EE14 , 5F152EE16 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF16 , 5F152FF17 , 5F152FF21 , 5F152FF30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-317354 Applicant：信越半導体株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-119199 Applicant：三星電子株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社

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Cited by examiner (7)

積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-262853 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
Zn系半導体発光素子およびその製造方法
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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Self-Adjusted, Three-Dimensional Lattice-Matched Buffer Layer for Growing ZnO Epitaxial Film: Homolo

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