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J-GLOBAL ID：201103039864979685

積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010262853
Publication number (International publication number)：2011135064
Application date： Nov. 25, 2010
Publication date： Jul. 07, 2011
Summary：
【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料の作製方法である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
下地部材上に、酸化物部材を形成し、 加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、前記下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を形成し、 前記第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法。
IPC (9)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/167 ,  G02F 1/17 ,  H01L 21/203 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (13)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F1/17 ,  H01L21/203 S ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
F-Term (153)：
2H092JA26 ,  2H092KA03 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2K101AA04 ,  2K101AA08 ,  2K101BA02 ,  2K101BA12 ,  2K101BB43 ,  2K101BD61 ,  2K101EC08 ,  2K101ED13 ,  2K101EE02 ,  2K101EH02 ,  2K101EH03 ,  2K101EH12 ,  2K101EH14 ,  2K101EJ22 ,  2K101EJ33 ,  2K101EK35 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB08 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107EE58 ,  3K107EE59 ,  3K107FF04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB42 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA01 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF21 ,  5F152FF30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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