トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009119199
Publication number (International publication number)：2009278115
Application date： May. 15, 2009
Publication date： Nov. 26, 2009
Summary：

【課題】薄膜トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体素子は、自己整列トップゲート構造を有する酸化物薄膜トランジスタを含みうる。酸化物薄膜トランジスタは、第1ソース領域、第1ドレイン領域、及びそれらの間の第1チャンネル領域を有する第1酸化物半導体層、及び第1チャンネル領域上に順次積層された第1ゲート絶縁層及び第1ゲート電極を含みうる。第1酸化物半導体層下にボトムゲート電極が更に備えられ、第1酸化物半導体層は多層構造を有することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャンネル領域を有する酸化物半導体層と、前記チャンネル領域上に順次積層されたゲート絶縁層及びゲート電極を含む積層構造物と、を備えることを特徴とするトランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616L , H01L29/78 617N , H01L29/78 618E , H01L29/78 613A , H01L27/08 331E , H01L27/08 102B

F-Term (30)：

5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F110AA08 , 5F110AA16 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD17 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG58 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK31 , 5F110NN78 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-074630 Applicant：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタ及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-038425 Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-217273 Applicant：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社

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