酸化亜鉛半導体膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：木村満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009000279
Publication number (International publication number)：2009094535
Application date： Jan. 05, 2009
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

【課題】移動度の高い酸化亜鉛半導体膜を提供することを目的とする。【解決手段】成膜室124内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットA,Bに、DC電圧を印加し、両ターゲットA,B間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットA,BのZn粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にZnO膜を形成する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

対向して配置された、少なくともその一方が導電性亜鉛金属を含む一組のターゲットの間に形成されたプラズマによるスパッタリングにより発生した亜鉛粒子が酸化されて生成した酸化亜鉛を含んだ生成物が、前記プラズマから離間された基板に、堆積されて形成された、ことを特徴とする酸化亜鉛半導体膜。

IPC (4)：

H01L 21/363 , C23C 14/08 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7)：

H01L21/363 , C23C14/08 C , C23C14/08 K , H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/78 617V , H01L29/78 617U

F-Term (50)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BB03 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC32 , 4K029DC34 , 4K029DC40 , 4K029EA01 , 4K029HA01 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB23 , 5F103BB24 , 5F103BB42 , 5F103DD27 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN05 , 5F103NN06 , 5F103RR05 , 5F110AA01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-172301 Applicant：株式会社村田製作所
ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-302673 Applicant：株式会社村田製作所
薄膜発光素子及び発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-079594 Applicant：株式会社村田製作所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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