単一金属酸化物ナノ粒子による抵抗変化メモリおよびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010037728
Publication number (International publication number)：2011176041
Application date： Feb. 23, 2010
Publication date： Sep. 08, 2011
Summary：

【課題】金属酸化物単一ナノ粒子を抵抗変化メモリに利用するもので、メモリの大容量化や低消費電力化を実現する抵抗変化メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1電極と、前記第1電極上に形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に形成された第2電極、及び第1電極と第2電極と接触し絶縁膜中にフェリチンタンパク質により形成された金属酸化物ナノ粒子を1つ含むことを特徴とする抵抗変化メモリ素子であって、金属酸化物ナノ粒子の抵抗変化を利用したメモリ素子である。これにより、メモリ素子サイズの縮小と動作電力を低減することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1電極、第2電極、および第1電極と第2電極とに電気的に接触する金属酸化物ナノ粒子を単一メモリセル中に1つ含み、前記金属酸化物ナノ粒子が、フェリチンにより形成されることを特徴とする抵抗変化メモリ素子。

IPC (1)：

H01L 27/10

FI (1)：

H01L27/10 451

F-Term (5)：

5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F083PR23 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

抵抗変化素子とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-232327 Applicant：パナソニック株式会社
円偏光発光性ナノ微粒子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-088945 Applicant：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学, 独立行政法人科学技術振興機構
金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-203266 Applicant：キマンダアーゲー

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