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J-GLOBAL ID：201103030581416989

窒化物半導体基板、その製造方法及び窒化物半導体デバイス

Inventor：
大島 祐一

About 大島 祐一

, 
吉田 丈洋

About 吉田 丈洋


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (7)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010089755
Publication number (International publication number)：2011219304
Application date： Apr. 08, 2010
Publication date： Nov. 04, 2011
Summary：
【課題】内部領域よりも格段に優れた品質の最表面(表層領域)を有する窒化物半導体基板、表面加工方法を工夫することによって最表面(表層領域)の歪みを開放し、高品質の層を最表面に設けることが可能な窒化物半導体基板の製造方法及びこれらを用いた窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】成長面となる表面とその反対側の裏面とからなる2つの主面を有する窒化物半導体基板において、表面に対して傾斜した特定の非対称面からの回折を利用して、表面から所定の深さの領域において対応する半値幅を得るX線ロッキングカーブ測定によって得られた、表面からの深さが0〜250nmの表層領域の半値幅が、表面からの深さが5μmを超える内部領域の半値幅よりも狭くなるように構成する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
成長面となる表面とその反対側の裏面とからなる2つの主面を有する窒化物半導体基板であって、 前記表面に対して傾斜した特定の非対称面からの回折を利用して、前記表面から所定の深さの領域において対応する半値幅を得るX線ロッキングカーブ測定によって得られた、前記表面からの深さが0〜250nmの表層領域の半値幅が、前記表面からの深さが5μmを超える内部領域の半値幅よりも狭い窒化物半導体基板。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 621D ,  B24B1/00 A
F-Term (35)：
3C049AA07 ,  3C049AA09 ,  3C049CA05 ,  3C049CB02 ,  3C049CB03 ,  4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077FG02 ,  4G077FG06 ,  4G077FG07 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F057AA06 ,  5F057AA12 ,  5F057AA28 ,  5F057BA12 ,  5F057BB05 ,  5F057BB06 ,  5F057CA11 ,  5F057CA36 ,  5F057DA03 ,  5F057DA11 ,  5F057DA21 ,  5F057DA28 ,  5F057EA01 ,  5F057EA05 ,  5F057EA16 ,  5F057EA21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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