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J-GLOBAL ID：201103033608533345

極端紫外光源及び極端紫外光源用ターゲット

Inventor： 長井 圭治 ,  西村 博明 ,  乗松 孝好 ,  西原 功修 ,  宮永 憲明 ,  中塚 正大 ,  井澤 靖和 ,  山中 龍彦 ,  中井 光男 ,  重森 啓介 ,  村上 匡且 ,  島田 義則 ,  内田 成明 ,  古河 裕之 ,  砂原 淳 ,  ジャコフスキー バシリ ,  松井 亮二 ,  日比野 隆宏 ,  奥野 智晴
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 小林 良平
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004569944
Patent number：4406730
Application date： Dec. 26, 2003
Claim (excerpt)：

【請求項1】 重金属又は重金属化合物から成り、内部に空隙を有する極端紫外光源用ターゲットであって、該極端紫外光源用ターゲットの重量を該極端紫外光源用ターゲットの体積で除して求められる密度が該重金属又は重金属化合物の結晶密度の0.5%〜80%であることを特徴とする極端紫外光源用ターゲット。

IPC (4)：

H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01) ,  G21K 5/08 ( 200 6.01) ,  G21K 5/02 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 21/30 531 S ,  G03F 7/20 521 ,  G21K 5/08 X ,  G21K 5/02 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-155582   Applicant：株式会社日立製作所
• レーザー励起X線発生装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-287385   Applicant：株式会社筑波リエゾン研究所
• 極短波長の光を発生させるターゲット、そのターゲットを用いた光発生方法及びそのための装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-197251   Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
• マイクロターゲットを用いた方法及びラジエーション生成システム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-534180   Applicant：ジェイエムエーアールリサーチインク
• ミクロン及びサブミクロンの小滴の濃霧を生成する方法及びその装置、並びに特にリソグラフィのための極紫外線の生成への応用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-531345   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• X線発生装置、X線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-287567   Applicant：株式会社ニコン