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J-GLOBAL ID：201103039428406203

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor：
亀井 一人

About 亀井 一人

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楠 一彦

About 楠 一彦

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矢代 将斉

About 矢代 将斉

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下崎 新二

About 下崎 新二


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009204139
Publication number (International publication number)：2011051857
Application date： Sep. 03, 2009
Publication date： Mar. 17, 2011
Summary：
【課題】発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のSiC単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。【解決手段】SiまたはSiと他の金属との合金からなる融液にCが溶解している原料溶液5に結晶成長用基板1を浸漬し、少なくとも基板1の近傍の溶液5を過飽和状態とすることによって基板1上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、(1)融液の材料が少なくとも1種の酸化物を含む、(2)酸素を含む不活性ガス雰囲気下で結晶成長を行う、および(3)酸素を含む不活性ガスを原料溶液に吹き込みながら結晶成長を行う、の少なくとも1つに手法によって、原料溶液5中に酸素を含有させながら、SiC単結晶を成長させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
SiまたはSiとM(MはSi以外の1種以上の金属)との合金からなる融液にCが溶解している原料溶液に結晶成長用基板を浸漬し、少なくとも前記基板の近傍の溶液を過飽和状態とすることによって前記基板上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法であって、前記原料溶液が融液材料および/またはガスから供給された溶存酸素を含有することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04 ,  H01L 21/208
FI (3)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04 ,  H01L21/208 D
F-Term (30)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EC08 ,  4G077EC09 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  5F053AA03 ,  5F053AA33 ,  5F053AA50 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB15 ,  5F053BB57 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053RR01 ,  5F053RR20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 単結晶SiCの液相育成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058254   Applicant：日本ピラー工業株式会社
  • SiC単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-138613   Applicant：トヨタ自動車株式会社
  • 単結晶製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-203315   Applicant：トヨタ自動車株式会社
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Cited by examiner (4)
  • 単結晶SiCの液相育成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058254   Applicant：日本ピラー工業株式会社
  • SiC単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-138613   Applicant：トヨタ自動車株式会社
  • 単結晶製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-203315   Applicant：トヨタ自動車株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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