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J-GLOBAL ID：201103050875544030

異方性薄膜の評価方法及び評価装置

Inventor： 伊藤 聡 ,  廣沢 一郎
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1999214314
Publication number (International publication number)：2001041850
Patent number：3498014
Application date： Jul. 28, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Claim (excerpt)：

【請求項1】 薄膜試料の表面の測定位置に一定の偏光状態の単色光を一定の角度から入射した際に発生する反射光の偏光状態の入射方位依存性を評価する方法であって、(1)試料が搭載された回転ステージを回転させて試料に対する光入射方位を所定の方位に設定する過程と、(2)回転ステージが回転することに伴い、この回転ステージの機械的精度不足によって生じることとなる試料表面の前記測定位置の平面方向の位置ずれを、Xステージ及びYステージを利用して試料を移動させることによって補正する過程と、(3)前記単色光を入射して反射光の偏光状態を測定する過程と、を有することを特徴とする異方性薄膜の評価方法。

IPC (3)：

G01M 11/00 ,  G01M 11/02 ,  G02F 1/1337

FI (3)：

G01M 11/00 T ,  G01M 11/02 B ,  G02F 1/1337

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 液晶配向膜評価方法及び液晶配向膜評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-314747   Applicant：日本電気株式会社
• 光学的異方性測定装置及びそれを用いた光学的異方性測定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-148283   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体ウエハの外観検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-196737   Applicant：株式会社安川電機, 株式会社日立製作所
• 座標修正装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-020699   Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-025117   Applicant：三菱電機株式会社, セイコー電子工業株式会社
• 光学部材検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-255066   Applicant：旭光学工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 液晶配向膜評価方法及び液晶配向膜評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-314747   Applicant：日本電気株式会社
• 光学的異方性測定装置及びそれを用いた光学的異方性測定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-148283   Applicant：キヤノン株式会社