Pat
J-GLOBAL ID:201103053130926517
薄膜太陽電池セルを製造するための装置および方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
村山 靖彦
, 志賀 正武
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2011505185
Publication number (International publication number):2011521099
Application date: Apr. 15, 2009
Publication date: Jul. 21, 2011
Summary:
基板ウェブ上に半導体材料吸収層の薄膜層を形成するための改善された方法および装置を提供する。本発明の教示に従って、半導体層をマルチゾーンプロセスで形成することができ、これにより、さまざまな層が移動する基板ウェブ上に順次蒸着される。
Claim (excerpt):
基板上に蒸着される物質を収容するための収容器を形成する、それぞれが前記収容器からの熱損失を制限するための絶縁材料を有する底壁および側壁と、
前記容器を覆うように構成され、少なくとも1つの噴散ノズルを形成する加熱素子を有する蓋とを備える物理的気相成長のための容器。
IPC (6):
C23C 14/24
, H01L 21/363
, H01L 21/203
, C23C 14/06
, C23C 14/56
, H01L 31/04
FI (6):
C23C14/24 A
, H01L21/363
, H01L21/203
, C23C14/06 M
, C23C14/56 A
, H01L31/04 E
F-Term (32):
4K029AA25
, 4K029BA08
, 4K029BA41
, 4K029BA42
, 4K029BB02
, 4K029DA03
, 4K029DA10
, 4K029DB12
, 4K029DB13
, 4K029DB14
, 4K029DB18
, 4K029JA10
, 4K029KA01
, 4K029KA03
, 5F103AA01
, 5F103BB02
, 5F103BB36
, 5F103BB47
, 5F103BB49
, 5F103BB59
, 5F103DD28
, 5F103DD30
, 5F103HH01
, 5F103LL05
, 5F103PP18
, 5F103RR01
, 5F151AA10
, 5F151BA14
, 5F151CB12
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
蒸発装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-111434
Applicant:三洋電機株式会社
-
蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-154669
Applicant:アネルバ株式会社
-
成膜源、真空成膜装置、有機EL素子の製造方法、有機EL素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-150954
Applicant:東北パイオニア株式会社
Show all
Return to Previous Page