炭素基板または金属基板上でのカーボンナノチューブの成長

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010547228
Publication number (International publication number)：2011512315
Application date： Feb. 17, 2009
Publication date： Apr. 21, 2011
Summary：

本発明は、基板上でのナノチューブの成長、特に、当該ナノチューブの成長が通常は困難である炭素基板または金属基板上でのカーボンナノチューブの成長に関する。したがって、本発明は、単一ステップ、ならびに単一および同一成長装置において、セラミックの副層を堆積する第一の段階と、上記副層上にカーボンナノチューブを堆積することを含む第二の段階とを有する。好適には化学成長気相法を用いて成長を実行させる。

Claim (excerpt)：

基板上においてカーボンナノチューブを成長させる方法であって、単一かつ同一の成長反応器における単一工程にて、セラミックの副層を堆積させる第一の段階と、該セラミックの副層上にカーボンナノチューブを堆積させる第二の段階とが行われることを特徴とする方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (21)：

4G146AA11 , 4G146AB07 , 4G146AD20 , 4G146AD22 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC28 , 4G146BC32A , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC34A , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4G146BC48 , 4G146DA03 , 4G146DA22 , 4G146DA26 , 4G146DA30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

支持体に結合させたカーボンナノチューブ及びそれを含む複合体の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-550248 Applicant：サーントルナシオナルドゥラルシェルシェシャーンティフィク(セーエンヌエールエス)
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