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J-GLOBAL ID：200903029810097306

炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法及び同ウエハ上に作製された半導体装置

Inventor： 児島 一聡 ,  黒田 悟史 ,  奥村 元
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003295413
Publication number (International publication number)：2005064383
Application date： Aug. 19, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】 SiCエピタキシャルウエハ中の結晶欠陥を低減しながら表面の平坦性の高いエピタキシャルウエハを作製する方法、これによって得られたSiCエピタキシャルウエハ、及び同ウエハ上に作製された半導体装置を提供する。【解決手段】 α型の結晶構造を持つ炭化珪素の{0001}面から0°以上1°未満オフした基板上に形成したことを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法において、α型の結晶構造を持つ炭化珪素の{0001}面から0°以上1°未満オフした基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

α型の結晶構造を持つ炭化珪素の{0001}面から0°以上1°未満オフした基板上に形成したことを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。

IPC (6)：

H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

FI (6)：

H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  H01L29/16 ,  H01L29/91 F ,  H01L29/78 301B

F-Term (42)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB15 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED05 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB13 ,  4G077TE02 ,  4G077TK06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA04 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB01 ,  5F045BB12 ,  5F045CA19 ,  5F140AA05 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 米国特許第4,912,064号
  
• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241899   Applicant：松下電器産業株式会社
• SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-084510   Applicant：富士電機株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-329162   Applicant：新日本製鐵株式会社
• <1-100>方向にオフカットした基板上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル層
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-505042   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

Cited by examiner (4)

• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241899   Applicant：松下電器産業株式会社
• SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-084510   Applicant：富士電機株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-329162   Applicant：新日本製鐵株式会社
• <1-100>方向にオフカットした基板上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル層
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-505042   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• Step-controlled epitaxial growth of SiC:high quali
• High-purity 4H-SiC epitaxial growth by hot-wall ch
• In situ substrate preparation for high-quality SiC

Cited by examiner (3)

• Step-controlled epitaxial growth of SiC:high quali
• High-purity 4H-SiC epitaxial growth by hot-wall ch
• In situ substrate preparation for high-quality SiC