圧電体薄膜の製造方法および当該製造方法により製造される圧電体薄膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009157031
Publication number (International publication number)：2011015148
Application date： Jul. 01, 2009
Publication date： Jan. 20, 2011
Summary：

【課題】スカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜において、スカンジウムの含有率が35〜40原子%の範囲であっても、スカンジウムを含有させない場合と比較して圧電応答性が低下しない圧電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を5〜450°Cの範囲で、スカンジウムの含有率が0.5〜50原子%の範囲となるようにスパッタリングする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法であって、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、スカンジウムの原子数と上記窒化アルミニウム薄膜におけるアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたときのスカンジウムの含有率が0.5〜50原子%の範囲となるように、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含み、上記スパッタリング工程における上記基板の温度が、5〜450°Cの範囲であることを特徴とする製造方法。

IPC (3)：

H03H 3/02 , H03H 9/17 , C23C 14/06

FI (3)：

H03H3/02 B , H03H9/17 F , C23C14/06 A

F-Term (10)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BC00 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029DC39 , 4K029EA08 , 5J108BB08 , 5J108MM11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-098480 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社デンソー
圧電薄膜共振子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-141846 Applicant：宇部エレクトロニクス株式会社
薄膜圧電共振器及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-224791 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-098480 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社デンソー
圧電薄膜共振子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-141846 Applicant：宇部エレクトロニクス株式会社
薄膜圧電共振器及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-224791 Applicant：株式会社東芝

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