配向ペロブスカイト酸化物薄膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010274161
Publication number (International publication number)：2011236112
Application date： Dec. 09, 2010
Publication date： Nov. 24, 2011
Summary：

【課題】無配向基板上の(001)配向Dion-Jacobsonペロブスカイト型酸化物薄膜及びその上部に(001)配向し高特性が期待できる種々のペロブスカイト型酸化物薄膜を形成する製造方法及びそれによって得られるペロブスカイト型(001)配向多層膜を提供する。【解決手段】無配向基板上に形成された特定の組成式Aで表されるDion-Jacobsonペロブスカイト型金属酸化物を形成することができる有機金属塩あるいはアルコキシド塩からなる薄膜又は非晶質薄膜を基板上に形成し、室温から600°Cの温度に保持し、基板上の薄膜に紫外レーザ等の紫外光を照射しつつ結晶化を行うことによって、基板上に(001)方向に配向することを特徴とする配向Dion-Jacobsonペロブスカイト型酸化物薄膜を形成することを含む方法。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

組成式A(Bn-1MnO3n+1)(nは2以上の自然数で、AはNa、K、Rb、Csより選ばれる1種以上の1価カチオンであり、Bは3価の希土類イオン及びBi、2価のアルカリ土類金属イオン、1価のアルカリ金属イオンより選ばれる1種以上で構成され、MはNb、Taの1種以上で構成され、Ti、Zrが固溶していてもよい)で表されるDion-Jacobson相と呼ばれるペロブスカイト型金属酸化物を形成することができる有機金属塩あるいはアルコキシド塩からなる薄膜又は非晶質薄膜を基板上に形成し、室温から600°Cの温度に保持し、基板上の非晶質薄膜又は有機金属塩あるいはアルコキシド塩からなる薄膜に紫外光を照射しつつ結晶化を行うことによって、基板上にAカチオンが層状に規則配列する層状方向である(001)方向に配向することを特徴とする配向Dion-Jacobsonペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法。

IPC (8)：

C01G 33/00 , C09K 11/00 , C09K 11/08 , C09K 11/67 , C01G 23/00 , C01G 41/00 , C01G 53/00 , C01G 23/053

FI (8)：

C01G33/00 A , C09K11/00 A , C09K11/08 B , C09K11/67 , C01G23/00 C , C01G41/00 B , C01G53/00 A , C01G23/053

F-Term (38)：

4G047CA02 , 4G047CA07 , 4G047CB05 , 4G047CC02 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G047CD07 , 4G047CD08 , 4G048AA03 , 4G048AA04 , 4G048AA05 , 4G048AB02 , 4G048AC01 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE08 , 4H001CA02 , 4H001CA04 , 4H001CF02 , 4H001XA08 , 4H001XA20 , 4H001XA22 , 4H001XA38 , 4H001XA50 , 4H001XA56 , 4H001YA58 , 4H001YA59 , 4H001YA60 , 4H001YA62 , 4H001YA63 , 4H001YA64 , 4H001YA65 , 4H001YA66 , 4H001YA67 , 4H001YA68 , 4H001YA69 , 4H001YA70 , 4H001YA71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

蛍光体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-212153 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
一つまたは複数の結晶化セラミック薄層の製造方法およびかゝる層を有する部品
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-531412 Applicant：フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
LaNiO3導電性層を形成する方法、LaNiO3層を備えた強誘電体デバイス、及び前駆体形成溶液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-077459 Applicant：富士通株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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