多重アクティブチャネル層を用いた薄膜トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安齋嘉章
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011516475
Publication number (International publication number)：2011527108
Application date： Jun. 19, 2009
Publication date： Oct. 20, 2011
Summary：

本明細書に開示される実施形態は、概して、TFT及びTFTを製造する方法に関する。TFTにおいて、アクティブチャネルは、ソース及びドレイン電極間で電流を運ぶ。アクティブチャネルの組成を調整することによって、電流を制御できる。アクティブチャネルは、ゲート制御層、バルク層、インタフェース制御層の3層に分割されてもよい。別々の層は、異なる組成を有してもよい。ゲート制御層、バルク層、バックチャネルインタフェース制御層の夫々は、異なる組成を有することができる多重層を更に含んでもよい。アクティブチャネルの様々な層の組成は、酸素、窒素、及び、亜鉛、インジウム、カドミウム、スズ、ガリウム及びそれらの組み合わせから成る群から選択される1以上の元素を含む。所望の特性を有するTFTを生産するために、層の中で組成を変えることによって、様々な層の移動度、キャリア濃度、及び導電性を制御してもよい。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタであって、ゲート電極及び基板の上に配置されるゲート誘電体層と、前記基板の反対側に前記ゲート誘電体層と結合したアクティブチャネルとを含み、前記アクティブチャネルは、酸素、窒素、及び、亜鉛、インジウム、スズ、カドミウム、及びガリウムから成る群から選択される1以上の元素を含み、第1組成を有する1以上のゲート制御層を含み、前記1以上のゲート制御層のうちの少なくとも1つは前記ゲート誘電体層に接触しており、前記アクティブチャネルは、前記1以上のゲート制御層のうちの少なくとも1つに接触する1以上のバルク層を更に含み、前記1以上のバルク層は、酸素、窒素、及び、亜鉛、インジウム、スズ、カドミウム、及びガリウムから成る群から選択される1以上の元素を含み、前記第1組成とは異なる第2組成を有し、前記アクティブチャネルは、前記1以上のバルク層のうちの少なくとも1つに接触する1以上のバックチャネルインタフェース制御層を更に含み、前記1以上のバックチャネルインタフェース制御層は、酸素、窒素、及び、亜鉛、インジウム、スズ、カドミウム、及びガリウムから成る群から選択される1以上の元素を含み、前記第1組成及び前記第2組成のうちの1以上と異なる第3組成を有し、前記薄膜トランジスタは、前記1以上のバックチャネルインタフェース制御層のうちの少なくとも1つと結合するソース及びドレイン電極を更に含む薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/363 , H01L 21/316

FI (5)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L21/363 , H01L21/316 X

F-Term (51)：

5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103JJ10 , 5F103KK10 , 5F103LL13 , 5F103PP05 , 5F103RR05 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK32 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-217272 Applicant：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-262991 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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