Art

J-GLOBAL ID：201202116764167649   Reference number：12A1417633

高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面のフォトレフレクタンス分光法による評価

Author (8)： SOGAWA MASAYUKI (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  KANDA HIROFUMI (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  KITAI SATOSHI (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  UENO MASATO (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  ERIGUCHI KOJI (松下電子 半導体社) ,  FUJIMOTO AKIRA (和歌山工高専) ,  KANASHIMA TAKESHI (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  OKUYAMA MASANORI (大阪大 大学院基礎工学研究科)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 48th  Issue： 2  Page： 805  Publication year： Mar. 28, 2001 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (8)： 高誘電率 ,  ゲート絶縁膜 ,  Si ,  界面 ,  フォト ,  レフレクタンス ,  分光法 ,  評価