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J-GLOBAL ID：201202289837897286   Reference number：12A0495345

The Generation Process of Interface Traps by Hot-Carrier Injection in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

ナノスケールの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるホットキャリア注入による界面捕獲の発生過程

Author (3)： HU Ming (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  YAMANE Takuya (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 51  Issue： 2,Issue 2  Page： 02BC09.1-02BC09.5  Publication year： Feb. 25, 2012 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  scale ,  *carrier injection ,  interface(surface) ,  *carrier capture ,  excitation(physics) ,  *voltage
Semi thesaurus term： nanoscale ,  *ホットキャリア注入 ,  charge pumping ,  *threshold voltage

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (9)：

• 1) K. S. Rails, W. J. Skocpol, L. D. Jackel, R. E Howard, L. A. Fetter, R. W. Epworth, and D. M. Tennant: Phys. Rev. Lett. 52 (1984) 228.
• 2) M. Tsai, H. Muto, and T. P. Ma: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 1691.
• 3) T. Tsuchiya, Y. Mori, Y. Morimura, T. Mogami, and Y. Ohji: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 064001.
• 4) G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. De Keersmaecker: IEEE Trans. Electron Devices 31 (1984) 42.
• 5) E. Takeda and N. Suzuki: IEEE Electron Device Lett. 4 (1983) 111.

Terms in the title (7)： ナノスケール ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  キャリア注入 ,  界面 ,  捕獲 ,  過程