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J-GLOBAL ID：201203006500875762
相分離構造を有する層を表面に備える基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (4)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011089091
Publication number (International publication number)：2012219236
Application date： Apr. 13, 2011
Publication date： Nov. 12, 2012
Summary：
【課題】表面処理剤からなる薄膜のパターンを調整し、ブロックコポリマーの相分離構造を基板表面に対して垂直方向に配向されたラメラ構造状に形成する方法の提供。【解決手段】基板上に、表面処理剤を含む中性化膜を形成し、前記中性化膜の上に、レジストからなるマスクパターンを形成し、前記マスクパターンを中性化膜に転写し、前記中性化膜から前記マスクパターンを除去し、当該中性化膜を被覆するように、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を形成した後、当該ブロックコポリマーを含む層を加熱して相分離させる工程を有し、前記表面処理剤が、前記ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有し、前記マスクパターンが、ラインの幅及びスペースの間隔がそれぞれ、前記ブロックコポリマーの周期の0.5倍若しくは1〜10の整数倍であるL/Sパターンである相分離構造を有する層を表面に備える基板の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
基板上に、表面処理剤を含む中性化膜を形成する中性化膜形成工程と、
前記中性化膜の上に、レジストからなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記マスクパターンを前記中性化膜に転写する転写工程と、
前記中性化膜から前記マスクパターンを除去する除去工程と、
前記除去工程後、前記中性化膜を被覆するように、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を形成した後、当該ブロックコポリマーを含む層を相分離させる相分離工程と、
を有し、
前記表面処理剤が、前記ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有しており、
前記マスクパターンが、ラインの幅及びスペースの間隔がそれぞれ、前記ブロックコポリマーの周期の0.5倍若しくは1〜10の整数倍であるラインアンドスペースパターンであることを特徴とする相分離構造を有する層を表面に備える基板の製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (5)：
4F006AA22
, 4F006AB12
, 4F006BA00
, 4F006CA08
, 4F006DA03
Cited by examiner (3)
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微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-218958
Applicant：株式会社日立製作所
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微細構造体の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-218959
Applicant：株式会社日立製作所
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高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-325407
Applicant：国立大学法人京都大学, 株式会社日立製作所
Article cited by the Patent：
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