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J-GLOBAL ID：201203015200741070

太陽電池素子

Inventor：
新楽 浩一郎

About 新楽 浩一郎


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011077383
Publication number (International publication number)：2012212769
Application date： Mar. 31, 2011
Publication date： Nov. 01, 2012
Summary：
【課題】 従来構造の太陽電池素子では、Voc(開放電圧)およびFF(フィルファクター)が低下することがあり、変換効率の向上は望めない。【解決手段】 半導体基板1の受光面側9aに線状の第1電極5bが設けられて、半導体基板1の裏面側9bに線状の第2電極6bが設けられている太陽電池素子Sであって、半導体基板1の裏面側9bには、平面透視して第1電極5bと重なる部位に第1電極5bに沿って、表層がパッシベーション層8である凹部10が設けられており、第2電極6bが、凹部10を避けた部位に凹部10に沿って設けられていることを特徴とする。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導体基板の受光面側に線状の第1電極が設けられて、前記半導体基板の裏面側に線状の第2電極が設けられている太陽電池素子であって、 前記半導体基板の前記裏面側には、 平面透視して前記第1電極と重なる部位に該第1電極に沿って、表層がパッシベーション層である凹部が設けられており、 前記第2電極が、前記凹部を避けた部位に該凹部に沿って設けられていることを特徴とする太陽電池素子。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (1)：
H01L31/04 F
F-Term (10)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151BA18 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151DA03 ,  5F151EA18 ,  5F151FA10 ,  5F151GA04 ,  5F151HA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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