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J-GLOBAL ID：201203015838626635

シリコンウェーハの製造方法

Inventor：
青木 嘉郎

About 青木 嘉郎


Applicant, Patent owner：
株式会社SUMCO

About 株式会社SUMCO


Agent (3)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010191269
Publication number (International publication number)：2012049397
Application date： Aug. 27, 2010
Publication date： Mar. 08, 2012
Summary：
【課題】本発明の目的は、ゲッタリング能力を十分に向上させたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態にて、当該表面にレーザーを照射して、表層部を溶融させた後、溶融させた表層部を固化させることにより、元素を表層部にドープすることを特徴とする。この製造方法によって得られる本発明のシリコンウェーハは、酸素、炭素、窒素の少なくともいずれか1種類以上の元素を高濃度に有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコンウェーハの両面のうち少なくとも何れか一方の面の表面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態にて、前記元素が存在する、前記シリコンウェーハの何れか一方の面の表面にレーザーを照射して、前記シリコンウェーハの表層部を溶融させた後、溶融させた前記表層部を固化させることにより、前記元素を前記表層部にドープすることを特徴とする、シリコンウェーハの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/04
FI (3)：
H01L21/322 G ,  C30B29/06 B ,  C30B33/04
F-Term (9)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077FC03 ,  4G077FG11 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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