半導体装置の作製方法及び半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002343258
Publication number (International publication number)：2004179356
Application date： Nov. 27, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】本発明は、半導体膜の表面の状態や結晶性にむらが生じるのを抑え、TFTのオン電流、移動度、閾値のばらつきを抑えることができる半導体装置の作製方法と、該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて希ガスを添加し、希ガスの雰囲気下において、希ガスが添加された半導体膜にパルス発振のレーザ光を照射することを特徴とする。またレーザ光の照射の際に、希ガスが添加された半導体膜に超音波による振動を与えても良い。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて希ガスを添加し、前記希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (4)：

H01L21/20 , H01L21/268 J , H01L21/322 G , H01L29/78 627G

F-Term (72)：

5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052CA02 , 5F052CA07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052HA06 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG51 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110PP32 , 5F110PP34 , 5F110PP40 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-020819 Applicant：セイコーエプソン株式会社
シリコン薄膜の形成方法及びシリコン薄膜の形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-339130 Applicant：日本電気株式会社
特開昭62-296509

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