半導体装置及びその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011252457
Publication number (International publication number)：2012129511
Application date： Nov. 18, 2011
Publication date： Jul. 05, 2012
Summary：

【課題】ノーマリーオフのトランジスタ、或いは当該トランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域として機能する第1の酸化物半導体層と、当該第1の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、当該第1の酸化物半導体層、当該ソース電極層、及び当該ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接して当該第1の酸化物半導体層と重なる第2の酸化物半導体層と、当該第2の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層とを有する半導体装置及びその作製に関する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャネル形成領域として機能する第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、前記第1の酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に接して前記第1の酸化物半導体層と重なる第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/363 , H01L 29/41 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (9)：

H01L29/78 617M , H01L29/78 617L , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L21/363 , H01L29/44 L , H01L21/316 X , H01L21/318 C

F-Term (88)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC05 , 4M104DD28 , 4M104DD38 , 4M104DD40 , 4M104DD63 , 4M104DD78 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF26 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F058BA11 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC10 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BJ04 , 5F103AA08 , 5F103BB05 , 5F103BB22 , 5F103BB47 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103HH05 , 5F103LL08 , 5F103LL13 , 5F103PP11 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

酸化物トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-130149 Applicant：株式会社ブリヂストン
透明トランジスタ及びその製造方法
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半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-273056 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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