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J-GLOBAL ID：201203059090280711

単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法

Inventor：
野口 仁

About 野口 仁

, 
白井 省三

About 白井 省三


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010264261
Publication number (International publication number)：2012041258
Application date： Nov. 26, 2010
Publication date： Mar. 01, 2012
Summary：
【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10-6/K以上の材料からなるベース基材13と、該ベース基材13の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層11と、該単結晶MgO11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜12を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材10。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10-6/K以上の材料からなるベース基材と、該ベース基材の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層と、該単結晶MgO上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材。
IPC (3)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 14/14
FI (4)：
C30B29/04 C ,  C30B29/04 E ,  C23C16/27 ,  C23C14/14 D
F-Term (21)：
4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB17 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BA13 ,  4K029BB09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA02 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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