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J-GLOBAL ID：201103036897104413

単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法

Inventor：
野口 仁

About 野口 仁


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009235992
Publication number (International publication number)：2011084411
Application date： Oct. 13, 2009
Publication date： Apr. 28, 2011
Summary：
【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶SiC基板11の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10であって、イリジウム膜又はロジウム膜12は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶SiC基板11とイリジウム膜又はロジウム膜12の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜13をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10’であってもよい。基材10’がMgO膜13を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜12の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材であって、少なくとも、単結晶SiC基板と、該単結晶SiC基板の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜とを有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材。
IPC (6)：
C30B 29/04 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/27 ,  C01B 31/36 ,  H01L 21/205
FI (7)：
C30B29/04 E ,  C30B29/04 C ,  C23C14/14 D ,  C23C14/06 N ,  C23C16/27 ,  C01B31/36 601Y ,  H01L21/205
F-Term (47)：
4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB17 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA05 ,  4G077TB07 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4G146MA15 ,  4G146MB05 ,  4G146MB06 ,  4G146MB23 ,  4G146MB28 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA43 ,  4K029BB04 ,  4K029BB09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC39 ,  4K030AA10 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045AF10 ,  5F045AF14 ,  5F045EH09 ,  5F045GB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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