薄膜層堆積方法及び得られる製品

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 小林良博 , 河野上正晴
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012513664
Publication number (International publication number)：2012528779
Application date： Jun. 04, 2010
Publication date： Nov. 15, 2012
Summary：

本発明は、少なくとも1種の酸化物をベースとする少なくとも1層の透明でかつ導電性の薄膜層により第一面が被覆された基材を得る方法であって、下記工程: 前記少なくとも1層の薄膜層を前記基材上に堆積させること、少なくとも1つの寸法が10cmを超えない前記少なくとも1層の薄膜層の領域に焦点が合わされた、波長が500〜2000nmである放射線を用いて前記少なくとも1層の薄膜層を照射する熱処理工程に前記少なくとも1層の薄膜層を付し、ここで、前記放射線を前記少なくとも1層の薄膜層に対面して配置されている少なくとも1つの放射線デバイスにより送達させ、所望の表面を処理するように前記放射線デバイスと前記基材とを相対的に移動させ、前記少なくとも1層の薄膜層の抵抗率が前記熱処理の間に低減される、熱処理工程に付すこと、を含む方法に関する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種の酸化物をベースとする少なくとも1層の透明でかつ導電性の薄膜層により第一面が被覆された基材を得る方法であって、下記工程: 前記少なくとも1層の薄膜層を前記基材上に堆積させること、少なくとも1つの寸法が10cmを超えない前記少なくとも1層の薄膜層の領域に焦点が合わされた、波長が500〜2000nmである放射線を用いて前記少なくとも1層の薄膜層を照射する熱処理工程に前記少なくとも1層の薄膜層を付し、ここで、前記放射線を前記少なくとも1層の薄膜層に対面して配置されている少なくとも1つの放射線デバイスにより送達させ、所望の表面を処理するように前記放射線デバイスと前記基材とを相対的に移動させ、前記少なくとも1層の薄膜層の抵抗率が前記熱処理の間に低減される、熱処理工程に付すこと、を含む方法。

IPC (4)：

C03C 17/245 , C23C 14/58 , B32B 9/00 , B32B 7/02

FI (4)：

C03C17/245 A , C23C14/58 C , B32B9/00 A , B32B7/02 104

F-Term (31)：

4F100AA25A , 4F100BA02 , 4F100BA07 , 4F100GB41 , 4F100JG01 , 4F100JG04 , 4F100JG04A , 4F100JM02A , 4F100JN01 , 4F100YY00A , 4G059AA08 , 4G059AB09 , 4G059AC14 , 4G059EA01 , 4G059EA02 , 4G059EA03 , 4G059EA04 , 4G059EB04 , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029BA34 , 4K029BA45 , 4K029BA47 , 4K029BA48 , 4K029BA49 , 4K029BB02 , 4K029BC09 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC39 , 4K029GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭61-183813
透明電極の形成方法および形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-017709 Applicant：株式会社日本製鋼所
特開平4-017212

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