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J-GLOBAL ID：201203089838095420

GaN結晶自立基板およびその製造方法

Inventor：
藤原 伸介

About 藤原 伸介

, 
上松 康二

About 上松 康二

, 
笠井 仁

About 笠井 仁

, 
岡久 拓司

About 岡久 拓司


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010132623
Publication number (International publication number)：2011256082
Application date： Jun. 10, 2010
Publication date： Dec. 22, 2011
Summary：
【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するGaN結晶自立基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本GaN結晶自立基板は、HVPE法により、結晶側面を除く結晶成長面として、(0001)面と{10-11}面および{11-22}面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、(0001)面成長結晶領域において炭素濃度が5×1016個/cm3以下かつ珪素濃度が5×1017個/cm3以上2×1018個/cm3以下かつ酸素濃度が1×1017個/cm3以下であり、{10-11}面および{11-22}面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が3×1016個/cm3以下かつSi濃度が5×1017個/cm3以下かつ酸素濃度が5×1017個/cm3以上5×1018個/cm3以下である。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
HVPE法により、結晶側面を除く結晶成長面として、(0001)面と{10-11}面および{11-22}面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたGaN結晶を加工して形成されたGaN結晶自立基板であって、 前記GaN結晶自立基板は、(0001)面を前記結晶成長面として成長した第1結晶領域において炭素濃度が5×1016個/cm3以下かつ珪素濃度が5×1017個/cm3以上2×1018個/cm3以下かつ酸素濃度が1×1017個/cm3以下であり、{10-11}面および{11-22}面の少なくともいずれかの面を前記結晶成長面として成長した第2結晶領域において炭素濃度が3×1016個/cm3以下かつSi濃度が5×1017個/cm3以下かつ酸素濃度が5×1017個/cm3以上5×1018個/cm3以下であるGaN結晶自立基板。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/205
FI (3)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  H01L21/205
F-Term (43)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TC02 ,  4G077TJ06 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA59 ,  5F045DQ03 ,  5F045DQ08 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EF11 ,  5F045EK06 ,  5F045EK22 ,  5F045GH08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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