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J-GLOBAL ID：201302200619267765   Reference number：13A0833927

Enhanced and Retarded SiO₂ Growth on Thermally Oxidized Fe-Contaminated n-Type Si(001) Surfaces

熱酸化しFe汚染したn型Si(001)表面上の強化 遅延 SiO₂成長

Author (2)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  HAGIWARA Hiroyuki (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 4,Issue 1  Page： 041302.1-041302.7  Publication year： Apr. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thermal oxidation ,  *Iron ,  pollution ,  silicon ,  N-type semiconductor ,  *silicon oxide ,  catalyst ,  defect ,  growth rate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (40)：

• 1) F. M. Ross and J. M. Gibson: Phys. Rev. Lett. 68 (1992) 1782.
• 2) K. Ohishi and T. Hattori: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L675.
• 3) H. Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa, T. Kawamura, and K. Terakuwa: Phys. Rev. Lett. 80 (1998) 345.
• 4) T. Yasuda, N. Kumagai, M. Nishizawa, S. Yamasaki, H. Oheda, and K. Yamabe: Phys. Rev. B 67 (2003) 195338.
• 5) S. Ogawa, A. Yoshigoe, S. Ishidzuka, Y. Teraoka, and Y. Takakuwa: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 3244.

Terms in the title (8)： 熱酸化 ,  Fe ,  汚染 ,  Si ,  強化 ,  遅延 ,  SiO2 ,  成長