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J-GLOBAL ID：201302264790061537   Reference number：13A1936943

Relation Between Oxidation Rate and Oxidation-Induced Strain at SiO₂/Si(001) Interfaces during Thermal Oxidation

熱酸化の間のSiO₂/Si(001)インタフェイスにおける酸化率と酸化-誘導歪みの関係

Author (6)： OGAWA Shuichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANG Jiayi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN) ,  ISHIDZUKA Shinji (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  TERAOKA Yuden (Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 11,Issue 1  Page： 110128.1-110128.7  Publication year： Nov. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thermal oxidation ,  *silicon oxide ,  silicon ,  interface (surface) ,  lattice defect ,  Oxygen ,  strain ,  synchrotron radiation ,  Photoelectron Spectroscopy

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (36)：

• S. Takagi, J. L. Hoyt, J. J. Welser, and J. F. Gibbons: J. Appl. Phys. 80 (1996) 1567.
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• S. T. Dunham and J. D. Plummer: J. Appl. Phys. 59 (1986) 2541.
• S. Ogawa and Y. Takakuwa: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 7063.

Terms in the title (8)： 熱酸化 ,  SiO2 ,  Si ,  インタフェイス ,  酸化率 ,  酸化 ,  誘導 ,  歪み