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J-GLOBAL ID：201302282231405798   Reference number：13A1418796

Anomalous Enhancement of In-Diffusion of Plasma-Induced Defects in GaN upon Ultraviolet-Light Irradiation

紫外線照射に対するGaN内のプラズマ誘起欠陥の内部拡散の異常な増強

Author (5)： NAKAMURA Seiji (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  HOSHINO Koichi (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  IKADAI Yuki (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SUDA Masayuki (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  OKUMURA Tsugunori (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 8,Issue 1  Page： 088001.1-088001.3  Publication year： Aug. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ultraviolet irradiation ,  gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *defect ,  *diffusion ,  electron-hole pair

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (23)：

• 1) A. Belkacem, Y. Arnal, A. Chantre, and C. Pomot: J. Vac. Sci. Technol. B 11 (1993) 709.
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• 5) J. W. Lee, K. N. Lee, R. R. Stradtmann, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, W. S. Hobson, and F. Ren: J. Vac. Sci. Technol. A 15 (1997) 890.

Terms in the title (7)： 紫外線照射 ,  GaN ,  プラズマ ,  誘起 ,  欠陥 ,  拡散 ,  増強