パワー半導体モジュール、パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：永井冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012002279
Publication number (International publication number)：2013143439
Application date： Jan. 10, 2012
Publication date： Jul. 22, 2013
Summary：

【課題】導体板状に形成する絶縁層の熱伝導率および放熱性を向上する。【解決手段】導電板315とモジュールケース304とは絶縁層700により接合される。絶縁層700は、溶射膜710および溶射膜710上に設けられた絶縁膜720を含んで構成されている。絶縁膜720は、セラミックス等のフィラー722を含有する樹脂721により構成されており、このフィラー含有樹脂の一部が、溶射膜710を構成する溶射素材711の空孔712内に含浸されている。【選択図】図30

Claim (excerpt)：

半導体素子と、一面に前記半導体素子が搭載された導体板と、前記導体板の側面部を覆い、前記一面に対向する他面の少なくとも一部を露出する樹脂封止部と、前記樹脂封止部の一面および前記導体板の前記樹脂封止部から露出した前記他面の一部に設けられた溶射膜と、前記溶射膜上に設けられた絶縁膜と、を備え、前記溶射膜には、前記溶射膜を構成する各溶射素材の間に存在する空孔の少なくとも一部にフィラー含有樹脂が含浸されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (5)：

H01L 23/36 , H01L 23/40 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H05K 7/20

FI (4)：

H01L23/36 D , H01L23/40 D , H01L25/04 C , H05K7/20 D

F-Term (33)：

5E322AA01 , 5E322AA07 , 5E322FA01 , 5E322FA04 , 5E322FA05 , 5E322FA09 , 5F136BA04 , 5F136BA31 , 5F136BC05 , 5F136DA22 , 5F136DA27 , 5F136EA38 , 5F136FA02 , 5F136FA03 , 5F136FA12 , 5F136FA41 , 5F136FA51 , 5F136FA61 , 5F136FA75 , 5F136FA82 , 5F136GA01 , 5F136GA33 , 5F136GA37 , 5H007AA06 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CC23 , 5H007DB03 , 5H007DC02 , 5H007HA03 , 5H007HA04 , 5H007HA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体モジュールおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-244497 Applicant：株式会社デンソー
防蝕被膜およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-119874 Applicant：ナイガイ株式会社, 太平洋マテリアル株式会社, 大日技研工業株式会社
溶射面用の封孔剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-014940 Applicant：馬込正勝, 株式会社因幡電機製作所, 大橋化学工業株式会社

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