パワーモジュール

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006160421
Publication number (International publication number)：2007329362
Application date： Jun. 09, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】環境の問題からPbフリー化が要求され、Sn-3Ag-0.5Cu はんだが広範囲に使用されている。しかし、パワーモジュールの後付け用はんだは大面積基板のはんだ付けであり、基板の反りを伴う大変形に対してクリープ変形し難いSn-3Ag-0.5Cu では、温度サイクル,TFT試験に対して、寿命低下が顕著に起きることが分かってきた。【解決手段】適正な物性を有する密着力のあるエポキシ系樹脂を、クラック発生起点であるはんだ最外周部周辺に部分的に塗布することで破壊メカニズムを変えさせ、はんだのクラック発生を阻止,遅延させ、かつクラック進展速度を遅延させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ベース基板とセラミック絶縁基板及び半導体チップがはんだで接続され、樹脂が充填されてなるパワーモジュールにおいて、前記セラミック絶縁基板とベース基板とのはんだ付け端部周囲、及びその周囲の前記セラミック絶縁基板の端部周囲とその周囲の前記ベース基板表面の一部を包むようにエポキシ系樹脂を被覆して構成することを特徴とするパワーモジュール。

IPC (2)：

H01L 23/40 , H01L 23/36

FI (2)：

H01L23/40 F , H01L23/36 C

F-Term (4)：

5F136BB04 , 5F136BB05 , 5F136DA27 , 5F136EA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-327072 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (8)

半導体パワーモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-208703 Applicant：株式会社日立製作所
電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013366 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-137494 Applicant：株式会社豊田自動織機

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