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J-GLOBAL ID：201303016397644814

炭素膜、高分子製品、炭素膜被覆材の製造方法、成膜方法、及び、成膜装置

Inventor：
溝手 範人

About 溝手 範人

, 
黒田 真一

About 黒田 真一

, 
細井 克比古

About 細井 克比古


Applicant, Patent owner：
株式会社ミツバ

About 株式会社ミツバ

, 
国立大学法人群馬大学

About 国立大学法人群馬大学


Agent (3)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  鈴木 慎吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012095810
Publication number (International publication number)：2013220987
Application date： Apr. 19, 2012
Publication date： Oct. 28, 2013
Summary：
【課題】摩擦係数が低くかつ従来より柔軟性を有し、密着性に優れた炭素膜、その炭素膜によって被覆された高分子製品、その炭素膜によって被覆された炭素膜被覆材の製造方法、成膜方法、及び、成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の炭素膜は、ゲルマニウム結晶を用いたATR-FTIRにおいて、2800〜3000cm-1に現れる吸収ピーク強度が0.01以下であり、3000〜3600cm-1に現れる吸収ピーク強度が0.002以下であり、1500〜1800cm-1に現れる吸収ピーク強度が0.005以下であることを特徴とする。【選択図】図8
Claim (excerpt)：
ゲルマニウム結晶を用いたATR-FTIRにおいて、2800〜3000cm-1に現れる吸収ピーク強度が0.01以下であり、3000〜3600cm-1に現れる吸収ピーク強度が0.002以下であり、1500〜1800cm-1に現れる吸収ピーク強度が0.005以下であることを特徴とする炭素膜。
IPC (4)：
C01B 31/02 ,  H05H 1/24 ,  C23C 16/513 ,  C23C 16/26
FI (4)：
C01B31/02 101Z ,  H05H1/24 ,  C23C16/513 ,  C23C16/26
F-Term (31)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC21A ,  4G146AC21B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD17 ,  4G146AD26 ,  4G146AD40 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146DA16 ,  4G146DA23 ,  4G146DA33 ,  4G146DA40 ,  4G146DA46 ,  4G146DA47 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030KA14 ,  4K030KA47 ,  4K030LA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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