Pat
J-GLOBAL ID:200903085740172639
薄膜の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
細田 益稔
, 青木 純雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005345846
Publication number (International publication number):2007146262
Application date: Nov. 30, 2005
Publication date: Jun. 14, 2007
Summary:
【課題】比較的に大面積でかつ欠陥の少ない薄膜を、パルス電圧印加によって生成するプラズマから形成する方法を提供することである。【解決手段】炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で100〜1600Torrの圧力下において基盤電極5とこの基盤電極5に対向する対向電極7との間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、薄膜6を生成させる。パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecである。パルス電圧の印加方向Wと交差する方向Eへと向かって、対向電極5を基盤電極5に対して相対的に移動させながら薄膜6を生成させる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で100〜1600Torrの圧力下において、基盤電極とこの基盤電極に対向する対向電極との間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、薄膜を生成させるのに際して、前記パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecであり、前記パルス電圧の印加方向と交差する方向へと向かって前記対向電極と前記基盤電極との少なくとも一方を移動させながら前記薄膜を生成させることを特徴とする、薄膜の製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (14):
4K030AA06
, 4K030AA08
, 4K030AA10
, 4K030AA16
, 4K030AA18
, 4K030BA28
, 4K030CA04
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030JA09
, 4K030JA11
, 4K030KA15
, 4K030KA17
, 4K030KA30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
薄膜の製造方法および薄膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-295768
Applicant:日本碍子株式会社
-
アモルファス炭化水素でコーティングする方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-051831
Applicant:学校法人新潟工科大学, ヒムエレクトロ株式会社, 株式会社半導体検査装置
Cited by examiner (4)
-
薄膜の製造方法および薄膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-295768
Applicant:日本碍子株式会社
-
常圧プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-126251
Applicant:積水化学工業株式会社
-
金属酸化薄膜の形成方法及び反射防止フィルム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-417179
Applicant:積水化学工業株式会社
-
回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-201722
Applicant:三洋電機株式会社, 森勇藏
Show all
Article cited by the Patent:
Return to Previous Page