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J-GLOBAL ID：201303034496433009

窒化物半導体結晶とその成長方法、材料、および窒化ガリウム単結晶基板

Inventor：
久保 秀一

About 久保 秀一

, 
藤戸 健史

About 藤戸 健史

, 
清見 和正

About 清見 和正


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012222738
Publication number (International publication number)：2013049621
Application date： Oct. 05, 2012
Publication date： Mar. 14, 2013
Summary：
【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。【解決手段】HVPE法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を+c軸方向以外の方向へ成長させることにより、S濃度が1×1018〜1×1020cm-3であり、かつ対称反射のX線ロッキングカーブの半値全幅が100秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を+c軸方向以外の方向へ成長させる工程を含むことを特徴とする窒化物半導体結晶の成長方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C30B25/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
F-Term (48)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC02 ,  4K030AA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045DA59 ,  5F045DA60 ,  5F045DQ08 ,  5F045EE13 ,  5F045HA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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