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J-GLOBAL ID：201303037869174407

成膜方法及び成膜装置

Inventor： 石田 耕三 ,  富永 浩二 ,  松田 耕一朗 ,  清水 哲夫 ,  千田 二郎 ,  大嶋 元啓 ,  米田 有紀子
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所 ,  株式会社堀場エステック ,  学校法人同志社
Agent (1)： 西村 竜平
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007509206
Patent number：5198853
Application date： Mar. 13, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板を内部に保持する成膜室内に液体原料を噴射弁から直接噴射し、当該液体原料を気化して前記基板上に堆積させて成膜する成膜方法であって、 前記基板上で前記液体原料の原子又は分子が泳動し、前記基板上で生成された反応副生成物が蒸発するために必要な泳動・蒸発時間を設定する時間設定ステップと、 前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射し気化して供給する供給時間と、前記液体原料を前記成膜室内に供給しない供給停止時間とを交互に設けた間欠供給ステップとを備え、 当該間欠供給ステップにおいて、前記供給停止時間を、前記泳動・蒸発時間と同じか又はそれよりも長くしており、 前記間欠供給ステップの前記供給時間内において、所定の時間間隔で前記噴射弁を複数回開閉させながら、前記液体原料を前記成膜室内に供給していることを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (3)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 液体原料用CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-290726   Applicant：東北リコー株式会社
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-154016   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-385768   Applicant：シャープ株式会社
• 液体材料気化供給装置、薄膜堆積装置および薄膜堆積装置への液体材料気化供給方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-364741   Applicant：千田二郎, 株式会社堀場製作所, 株式会社エステック

Cited by examiner (4)

• 液体原料用CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-290726   Applicant：東北リコー株式会社
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-154016   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-385768   Applicant：シャープ株式会社
• 液体材料気化供給装置、薄膜堆積装置および薄膜堆積装置への液体材料気化供給方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-364741   Applicant：千田二郎, 株式会社堀場製作所, 株式会社エステック