Pat

J-GLOBAL ID：201303050930501382

半導体基板の製造方法および半導体基板

Inventor： 秦 雅彦 ,  市川 磨 ,  卜部 友二 ,  宮田 典幸 ,  前田 辰郎 ,  安田 哲二
Applicant, Patent owner： 住友化学株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011130726
Publication number (International publication number)：2013004545
Application date： Jun. 10, 2011
Publication date： Jan. 07, 2013
Summary：

【課題】高性能なIII-V族MISFETの実現を可能にする、より効果的なIII-V族化合物半導体表面のパッシベーション技術を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長により化合物半導体層をベース基板上に形成するステップと、前記化合物半導体層の表面をセレン化合物を含む洗浄液で洗浄するステップと、前記化合物半導体層の上に絶縁層を形成するステップと、を有する半導体基板の製造方法を提供する。前記セレン化合物として、セレン酸化物が挙げられる。前記セレン酸化物として、H2SeO3が挙げられる。前記洗浄液が、水、アンモニアおよびエタノールからなる群から選択された1以上の物質をさらに含んでもよい。前記化合物半導体層の表面がInxGa1-xAs(0≦x≦1)からなる場合、前記絶縁層がAl2O3からなるものであることが好ましく、Al2O3は、ALD法により形成されることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

エピタキシャル成長により化合物半導体層をベース基板上に形成するステップと、 前記化合物半導体層の表面をセレン化合物を含む洗浄液で洗浄するステップと、 前記化合物半導体層の上に絶縁層を形成するステップと、を有する 半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (7)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617U

F-Term (66)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB16 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BF10 ,  5F140BG30 ,  5F140BH22 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ14 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CE02 ,  5F152LL05 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN08 ,  5F152NN15 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NQ08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-074528   Applicant：国立大学法人東京大学, 住友化学株式会社
• 化合物半導体の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-308102   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体のエッチング方法およびそれを用いた薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-078135   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体装置の製造方法及びその製造方法による半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-135668   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法及びその製造方法による半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-135668   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-074528   Applicant：国立大学法人東京大学, 住友化学株式会社
• 化合物半導体の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-308102   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体のエッチング方法およびそれを用いた薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-078135   Applicant：日本電信電話株式会社