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J-GLOBAL ID：201303057277991250

固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器

Inventor： 中山 知信 ,  中谷 真人 ,  塚本 茂 ,  青野 正和
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007071067
Publication number (International publication number)：2007288171
Patent number：5205670
Application date： Mar. 19, 2007
Publication date： Nov. 01, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】Au電極層と、 前記Au電極層に隣接し、フラーレン分子からなるフラーレン層と、 前記フラーレン層に隣接した絶縁性層と、 前記絶縁性層と隣接した金属電極層と が積層構造をなし、 前記Au電極層と前記金属電極層との間に印加する電圧により前記フラーレン層中の前記フラーレン分子間結合を不揮発的に誘起または解消させ、以て前記Au電極層と前記金属電極層との間の導電性を制御する固体素子構造。

IPC (5)：

H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  C01B 31/02 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/06 601 N ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 27/10 451 ,  C01B 31/02 101 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-243281   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 誘電体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-191416   Applicant：三洋電機株式会社
• 整流素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-212080   Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004240   Applicant：財団法人川村理化学研究所
• 内包フラーレンによる分子及び薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-334894   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体集積装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-052005   Applicant：住友電気工業株式会社
• メモリ素子およびその製造方法、ならびに電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-080120   Applicant：ソニー株式会社
• 金属層-絶縁層-金属層構造を備えるストレージノード、及び、そのストレージノードを備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-327338   Applicant：三星電子株式会社