相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：恩田博宣 , 恩田誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011193281
Publication number (International publication number)：2013055258
Application date： Sep. 05, 2011
Publication date： Mar. 21, 2013
Summary：

【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜23の上面23s及びホール23h内に相変化膜24を形成する。次いで、相変化膜24を覆うキャップ膜25を形成する。更に、相変化膜24を加熱して、相変化膜24によってホール23hを埋め込むリフローを行う。キャップ膜25は、絶縁膜23よりも相変化膜24に対する濡れ性が低い材料で形成される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

凹部を有した基板の表面に金属カルコゲナイドからなる相変化膜を形成する工程と、前記相変化膜をリフロー温度に加熱して前記相変化膜を流動させるリフロー工程とを有する相変化メモリの形成方法であって、前記リフロー工程の前に、前記リフロー温度にある前記相変化膜からカルコゲン元素が脱離することを抑えるキャップ膜で前記相変化膜を覆うキャップ膜形成工程を備えることを特徴とする相変化メモリの形成方法。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , C23C 14/06

FI (5)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A , C23C14/06 A , C23C14/06 P , C23C14/06 G

F-Term (20)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA01 , 4K029BA41 , 4K029BA58 , 4K029BA60 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029GA01 , 4K029KA01 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR22 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

相変化記憶素子及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-198205 Applicant：三星電子株式会社
相変化膜を含む半導体素子の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-064419 Applicant：三星電子株式会社
配線用アルミニウム膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-321957 Applicant：日本電気株式会社

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