相変化メモリ・セル、形成方法、及び形成装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012551982
Publication number (International publication number)：2013519229
Application date： Jan. 10, 2011
Publication date： May. 23, 2013
Summary：

【課題】相変化メモリ・セル内に、ボイドがない結晶相変化材料を形成する方法を提供する。【解決手段】相変化メモリ・セルを形成するための技術である。例示的な方法は、基板内に下部電極を形成するステップを含む。本方法は、下部電極の上に相変化材料を形成するステップを含む。本方法は、キャッピング層及び絶縁体層を形成するステップを含む。本方法は、相変化層内の相変化材料を結晶化させて、相変化層にボイドがなくなるようにするステップを含む。本方法は、下部電極から、相変化層内の相変化材料を加熱するステップをさらに含み、結果として、相変化層が下部から上部へと結晶化する。一実施形態において、相変化材料を結晶化させるために、急速熱アニール(RTA)を適用する。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

メモリ・セルを形成する方法であって、前記方法は、誘電体基板内に、熱導体である下部電極を形成するステップと、少なくとも前記下部電極の上に相変化材料の層を形成するステップと、前記相変化材料の上に熱絶縁層を形成するステップであって、前記熱絶縁層は前記下部電極よりも低い熱伝導率を有する、形成するステップと、前記相変化材料をアニールして、前記相変化材料が少なくともスイッチング領域内で前記下部電極から開始して徐々に結晶化するようにするステップと、を含む方法。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (12)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083PR05 , 5F083PR34 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体メモリおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-330537 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
相変化記憶素子及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-198205 Applicant：三星電子株式会社
情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及びそれを用いた情報記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-056996 Applicant：三菱化学株式会社

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Cited by examiner (5)

半導体メモリおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-330537 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
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情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及びそれを用いた情報記録媒体
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