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J-GLOBAL ID：201303061055981881

イオン注入法によるキセノン133内包フラーレンの製造方法

Inventor： 渡辺 智 ,  石岡 典子 ,  関根 俊明 ,  長 明彦 ,  小泉 光生 ,  村松 久和 ,  下村 晴彦 ,  吉川 広輔
Applicant, Patent owner： 独立行政法人日本原子力研究開発機構
Agent (11)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩 ,  神田 藤博 ,  田中 英夫 ,  細川 伸哉 ,  深澤 憲広 ,  平山 晃二
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001054344
Publication number (International publication number)：2002255518
Patent number：4783509
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Claim (excerpt)：

【請求項1】 質量分析マグネットを装備したイオン注入器を用い、減速法を用いてイオン注入エネルギーを減速させて、フラーレン及び/またはフラーレン誘導体をターゲットとしてキセノン133をイオン注入することを特徴とするキセノン133内包フラーレンの製造方法。

IPC (1)：

C01B 31/02 ( 200 6.01)

FI (1)：

C01B 31/02 101 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 炭素薄膜の形成方法とその改質方法およびその改質方法を用いた電子デバイスおよびX線多層膜ミラーとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-029700   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭63-304563
  
• イオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-196474   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• イオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-110278   Applicant：日新電機株式会社
• 薄膜形成方法およびイオン注入方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213789   Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Beam Implantation: A New Method for Preparing Cage Molecules Containing Atoms at High Incorporation