半導体発光素子アレー、その製造方法、及び光送信機器

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人YKI国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007214119
Publication number (International publication number)：2009049209
Patent number：5309386
Application date： Aug. 20, 2007
Publication date： Mar. 05, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体結晶基板、前記半導体結晶基板の表面に配置された絶縁膜であって、前記絶縁膜は2以上の領域に区分されており、かつ前記2以上の領域のそれぞれには、矩形、三角形、六角形、および円形の中のいずれか1つの形状を有し、前記基板の表面を露出させる2以上の開口部が形成されている絶縁膜、前記半導体結晶基板の表面から前記開口部を通って前記開口部よりも上方に延伸し延伸方向に沿って同じ太さを有する半導体ロッドであって、前記延伸方向にn型半導体層とp型半導体層が積層されており、p-n接合を有する半導体ロッド、ならびに前記半導体結晶基板に接続された第一電極、および前記半導体ロッドの上部に接続された第二電極を含む半導体発光素子アレーであって、前記2以上の領域のそれぞれの大きさD1は、前記第一電極と前記第二電極を用いて前記p-n接合に発光のための電力を印加したときに出力される光を所定の光導波路で受光できるように、前記所定の光導波路のコアの直径をD2とし、前記各領域から出力される前記光の拡がり角度をθとし、前記各領域と前記所定の光導波路との距離をLとして、D1=(D2-2Ltanθ)に設定され、前記2以上の各領域のそれぞれにおいて、前記複数の開口部の間の間隔が異なって設定され、前記間隔がより小さく設定される前記領域の前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さが、前記間隔がより大きく設定される前記領域の前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さよりも高い、半導体発光素子アレー。

IPC (4)：

H01L 33/08 ( 201 0.01) , H01L 33/06 ( 201 0.01) , H01L 33/18 ( 201 0.01) , H01L 33/30 ( 201 0.01)

FI (4)：

H01L 33/00 120 , H01L 33/00 112 , H01L 33/00 162 , H01L 33/00 184

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子及び半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-200148 Applicant：ソニー株式会社
半導体光素子アレイの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048467 Applicant：富士通株式会社
窒化物半導体発光デバイスチップとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-357642 Applicant：シャープ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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