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J-GLOBAL ID：201303070452038524

ジョセフソン接合及びジョセフソンデバイス

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Inventor： 前田 京剛 ,  ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 平山 一幸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006332346
Publication number (International publication number)：2008047852
Patent number：5152549
Application date： Dec. 08, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板と、基板上に形成される結晶からなる高温超伝導体層と、該高温超伝導体層の中央部上に積層される強磁性層と、を備え、 上記高温超伝導体層の中央部の幅は、該中央部の両端部の幅よりも狭く形成されており、かつ、ジョセフソン侵入長以下であることを特徴とする、ジョセフソン接合。

IPC (4)：

H01L 39/22 ( 200 6.01) ,  C23C 14/28 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  C23C 14/24 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 39/22 ZAA A ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/08 L ,  C23C 14/24 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• トンネル接合超伝導素子、磁気センサ、メモリ及びスイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-000086   Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長
• 特開平2-153580
  
• 超伝導体ロジックの移相装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-568432   Applicant：ディー-ウェイヴシステムズインコーポレイテッド
• 光検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-052078   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-287381
  
• 超伝導トンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-046458   Applicant：日本電気株式会社