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J-GLOBAL ID：201402200700784143   Reference number：14A0476599

Control of Insulated Gate Interfaces for GaN-based Power Transistors

GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御

Author (3)： HASHIZUME TAMOTSU (北大) ,  YATABE ZENJI (北大) ,  SATO TAKETOMO (北大)
Material： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： EDD-14  Issue： 39-49  Page： 13-16  Publication year： Mar. 13, 2014 
JST Material Number： Z0910A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *insulating film ,  control ,  interface(surface) ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  characteristic ,  *heterojunction ,  *gate(semiconductor) ,  surface level ,  inductively coupled plasma ,  capacitance-voltage characteristic ,  aluminum oxide ,  device structure ,  *HEMT ,  power electronics ,  band gap ,  electron emission ,  time constant ,  numerical calculation ,  plasma etching
Semi thesaurus term： GAN ,  interface control ,  AlGaN ,  surface characteristics ,  interface state ,  recessed structure

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (8)：

• 木本恒暢:応用物理 80, 673 (2011).
• 葛原正明:応用物理 81,464(2012).
• "Special Issue on GaN Electronic Devices" : IEEE Trans. Electron Dev. 60, no.10, (2013).
• 橋詰保:応用物理81, 479(2012).
• C. Mizue, Y. Hori, M. Miczek, and T. Hashizume: Jpn. J. Appl. Phys. 50, 021001 (2011).

Terms in the title (4)： GaN ,  パワー素子 ,  絶縁膜 ,  界面制御