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J-GLOBAL ID：201402272253991242   Reference number：14A0682413

Fabrication and characterization of BaSi₂ epitaxial films on Si (111) for developing BaSi₂ on glass

Si(111)基板上BaSi₂エピタキシャル膜の結晶・光学特性評価とガラス基板上への展開

Author (10)： TAKABE RYOTA (筑波大 大学院) ,  TOKO KAORU (筑波大 大学院) ,  NUMATA RYOHEI (筑波大 大学院) ,  HARA KOSUKE (名古屋大) ,  BABA MASAKAZU (筑波大 大学院) ,  DU Weijie (筑波大 大学院) ,  USAMI NORITAKA (名古屋大) ,  USAMI NORITAKA (JST-CREST) ,  SUEMASU TAKASHI (筑波大 大学院) ,  SUEMASU TAKASHI (JST-CREST)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 2(OME2014 1-15)  Page： 35-37  Publication year： Apr. 03, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,  substrate(plate) ,  *barium compound ,  *silicon compound ,  *MBE growth ,  *semiconductor thin film ,  *solar cell ,  *metal catalyst ,  energy conversion efficiency ,  minority carrier ,  carrier lifetime ,  microwave ,  photoconductivity ,  attenuation characteristic ,  optical absorption ,  film thickness
Semi thesaurus term： 金属触媒誘起成長 ,  high efficiency ,  マイクロ波光導電減衰

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (8)：

• K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 068001.
• O. Nast, T. Puzzer, L. M. Koschier, A. B. Sproul, and S. R. Wenham: Appl. Phys. Lett. 73, 3214 (1998).
• R. Numata, K. Toko, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, and T. Suemasu, Cryst. Growth & Design 13, 1767 (2013).
• Y. Inomata, T. Nakamura, T. Suemasu, and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 4155.
• Y. Inomata, T. Nakamura, T. Suemasu, and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L478.

Terms in the title (6)： Si ,  エピタキシャル膜 ,  結晶 ,  光学特性評価 ,  ガラス基板 ,  展開